1.碳化硅薄膜和緩沖層

2.用于低 k 阻擋層和蝕刻停止層的 SiCO:H 薄膜

3.碳摻雜（拉伸應(yīng)變）硅

4.碳氮化硅用于硅基光伏電池的鈍化

5.ALD 促進(jìn)圖案化和種子層

· 

通過(guò)適當(dāng)選擇碳硅烷前體和沉積條件，碳化硅骨架可以向取代硅和類(lèi)金剛石結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。

碳硅烷是這樣的化合物，其中硅和碳元素根據(jù)以下通用結(jié)構(gòu)以大約 1:1 的比例在分子骨架或聚合物主鏈中交替：

一、碳硅烷化合物

二甲基硅烷：

附加屬性：水解敏感性與堿水溶液發(fā)生反應(yīng)

應(yīng)用：

通過(guò)等離子體 CVD 生成立方碳化硅。
采用三極等離子體 CVD 進(jìn)行立方碳化硅外延生長(zhǎng)。

二烷基硅烷還原劑：

有機(jī)硅烷與烴類(lèi)似，具有充當(dāng)離子還原劑和自由基還原劑的能力。這些試劑及其反應(yīng)副產(chǎn)物比許多其他還原劑更安全、更容易處理和處置。硅的金屬性質(zhì)及其相對(duì)于氫的低電負(fù)性導(dǎo)致 Si-H 鍵極化，產(chǎn)生氫化氫和與鋁、硼和其他金屬基氫化物相比更溫和的還原劑。硅基還原劑手冊(cè)的表總結(jié)了一些關(guān)鍵的硅烷還原。

揮發(fā)性碳硅烷：

碳硅烷是其中硅和碳元素在分子骨架或聚合物主鏈中以大約1:1的比例交替的化合物。通過(guò)適當(dāng)選擇碳硅烷前體和沉積條件，碳化硅骨架可以向取代硅和類(lèi)金剛石結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。

二、低聚硅烷和聚硅烷

聚二甲基硅烷：

應(yīng)用：

用于碳氮化硅薄膜的CVD。
在高溫下形成聚碳硅烷。

安全：
氮?dú)?/span> 下包裝

揮發(fā)性碳硅烷：

碳硅烷是其中硅和碳元素在分子骨架或聚合物主鏈中以大約1:1的比例交替的化合物。通過(guò)適當(dāng)選擇碳硅烷前體和沉積條件，碳化硅骨架可以向取代硅和類(lèi)金剛石結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。

揮發(fā)性高級(jí)硅烷：

揮發(fā)性高級(jí)硅烷是低溫、高沉積速率的前體。通過(guò)適當(dāng)選擇前體和沉積條件，硅沉積可以從非晶氫化硅轉(zhuǎn)向微晶硅結(jié)構(gòu)。當(dāng)硅原子數(shù)量增加到超過(guò)兩個(gè)時(shí)，電子能夠進(jìn)行西格瑪-西格瑪鍵共軛。三個(gè)氫原子中的兩個(gè)在末端硅原子上的解離吸附具有較低的能壘。

聚（二甲基硅烷）；聚二甲基硅： 

1.預(yù)陶瓷聚合物

2.在達(dá)到熔點(diǎn) 250-270 °C 之前會(huì)發(fā)生大幅降解

3.DP：25-50

4.在高溫下形成聚碳硅烷

5.用于硅基光伏電池鈍化的揮發(fā)性碳氮化硅 (SiCN) 前體的固態(tài)源

6.用于碳氮化硅薄膜的CVD

7.在 650 °C 以上的溫度下轉(zhuǎn)化為碳硅烷